При достаточно больших обратных смещениях на коллекторном переходе в нем развивается обычно лавинный пробой и на выходной характеристике появляется участок резкой зависимости Iк от Vкб рис. Длительность спада tсп определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0,9 до 0,1 тока насыщения. Униполярными называют такие транзисторы, работа которых основана на использовании основных носителей: Пример для транзистора с n- каналом Полевые транзисторы.
Нагрузочное сопротивление Rн подключается последовательно с коллекторным переходом. Компьютерная электроника Лекция 8. Удельное сопротивление слоя затвора намного меньше удельного. Последнее обусловливает широкое применение полевых транзисторов при презентации на тему транзисторы цифровых интегральных схем.
Главная Школьные презентации 10 класс. Схема включения транзистора с общей базой Усилительные свойства: Схемы с общей презентациею на тему транзисторы и общим эмиттером имеют различные значения обратного тока Iкбо. Обратный переход отделяет базу от правой области с проводимостью p- типа, называемой коллектором. Коновалова Кристина Александровна; Коновалова Кристина Александровна; Михайлина Анна Аркадьевна.
Физические процессы, протекающие в транзисторе при нарастании и спаде напряжения, иллюстрируются диаграммами распределения неосновных носителей Pn, построенными для различных моментов времени Презентация на тему Транзистор. Работает, как правило, в усилительном режиме.
В сплавных транзисторах трудно сделать очень тонкую базу, поэтому они предназначены только для низких и средних частот, их могут выпускать на большие мощности, до десятков ватт.
Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц. Управление тока в выходной презентации на тему транзисторы осуществляется за счет изменения входного тока в биполярном транзисторелибо входного напряжения в МОП тразисторе. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.
В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы. Вся современная цифровая техника основана на МОП металл-окисел-полупроводник транзисторах МОПТ. Иногда их называют МДП металл-диэлектрик-полупроводник транзисторы. Размеры современных МОПТ составляют от до 60 нанометров.
Это одна десятитысячная часть миллиметра. На одном чипе обычно размером 1—2 квадратных сантиметров размещаются презентации на тему транзисторы миллионов МОПТ. На протяжение десятков лет происходит уменьшение размеров презентация на тему транзисторы МОПТ и увеличение их количества на одном чипе степень интеграциив ближайшие годы ожидается увеличение степени интеграции до сотен миллионов транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров тактовой презентации на тему транзисторы.
Каждую секунду сегодня в мире изготавливается полмиллиарда МОП транзисторов. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной презентации на тему транзисторы. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы n- negative — электронный тип примесной презентации на тему транзисторы, p- positive — дырочный.
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака электронами или дыркамипоэтому такие приборы называются униполярными в отличие от биполярных. По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник барьер Шотткивторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода затвора.
Кустарный прототип графенового полевого транзистора полученный в г группой Уолта де Хиира. Принцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа. По типу используемого полупроводника транзисторы классифицируются на кремниевые, германиевые и арсенид-галлиевые.
Другие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах на презентации на тему транзисторы углеродных нанотрубок. По мощности различают маломощные транзисторы рассеиваемая мощность измеряется в милливаттахтранзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт рассеиваемой презентации на тему транзисторы и мощные транзисторы больше 1 Вт.
На фотографии мощность транзисторов возрастает слева направо. По исполнению различают дискретные транзисторы корпусные и бескорпусные и транзисторы в составе интегральных схем. КМОП комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с другими технологиями ТТЛ, ЭСЛ и др. Подавляющее большинство современных логических презентаций на тему транзисторы, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.
Для примера рассмотрим схему вентиля И-НЕ, построенного по технологии КМОП. Если на оба входа A и B подан высокий уровень, то оба транзистора снизу на схеме открыты, а оба верхних закрыты, то есть выход соединён с землёй. Если хотя бы на один из входов подать низкий уровень, соответствующий транзистор сверху будет открыт, а снизу закрыт. Таким образом, выход будет соединён с напряжением питания и отсоединён от земли. В схеме нет никаких нагрузочных сопротивлений, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи презентации на тему транзисторы через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень мало.
При переключениях электрическая энергия тратится в основном на заряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая и рассеиваемая мощность пропорциональна частоте этих переключений например, тактовой частоте процессора.
Если скачивание материала не началось, нажмите еще раз "Скачать материал". Профессиональной переподготовки 30 курсов от руб. Курсы для всех от руб. Повышение презентации на тему транзисторы 36 курсов от руб. Электрический ток через контакт полупроводников p-n типов. X Код для использования на сайте: Скопируйте этот код и вставьте его на свой сайт. X Чтобы скачать данную презентацию, порекомендуйте, пожалуйста, её своим друзьям в любой соц.
После чего скачивание начнётся автоматически! Получить код Наши баннеры. Чтобы скачать материал, введите свой email, укажите, кто Вы, и нажмите кнопку Ваше имя.
Я учитель Я родитель Я ученик. Скачивание материала начнется через 60 сек. Электрический ток в электролитах 10 класс. Магнитное поле Земли 8 класс. Импульс тела 9 класс. Физика вокруг нас 10 класс. Решение задач на расчет работы и мощности. О нас Правила Обратная связь. Категории Английский язык Астрономия Алгебра Биология География Геометрия История Литература Информатика Математика Медицина МХК Музыка Начальная школа Обществознания Окружающий мир ОБЖ Педагогика Русский язык Технология Физика Философия Химия Экономика Экология Детские презентации Шаблоны презентаций Физкультура.
10 класс Презентация по физике на тему "Транзисторы" - Физика
Принцип действия транзистора состоит в управлении током одного из переходов с помощью тока другого перехода. При диффузии примеси в базе распределяются неравномерно, там создается электрическое поле. Следует поподробнее остановится на эффекте усиления мощности.
Эти дырки проходят через базу и далее через коллекторный переход в коллектор, образуя коллекторный ток Iк, протекающийчерез нагрузочное сопротивление Rн. Усиление по току в таких схемах может составлять несколько сотен. Рабочая программа по физике. Всего 27 Автор Останин Б. Учитель английского языка Учитель биологии Учитель географии Учитель информатики Учитель испанского языка Учитель истории Учитель китайского языка Учитель презентации на тему транзисторы Учитель мировой художественной культуры Учитель начальных классов Учитель немецкого языка Учитель обществознания Учитель основ безопасности жизнедеятельности Учитель основ религиозных культур и светской этики Учитель русского языка и литературы Учитель физики Учитель физической культуры Учитель французского языка Учитель химии Воспитатель детей дошкольного возраста Главный бухгалтер образовательного учреждения Менеджер образования Методист образовательной организации Педагог дополнительного образования детей и взрослых Педагог по обучению лиц с ограниченными возможностями здоровья Педагог среднего профессионального образования Педагог-библиотекарь Педагог-воспитатель группы продлённого дня Педагог-организатор Педагого-психолог Преподаватель бухгалтерского учета Преподаватель высшей школы Преподаватель маркетинга Преподаватель права Преподаватель экологии Преподаватель экономики Социальный педагог Специалист в области воспитания Специалист в области охраны труда Специалист в сфере закупок Специалист по презентации на тему транзисторы и антитеррористической защищенности объектов территорий образовательной презентации на тему транзисторы Специалист по организации и предоставлению туристских услуг Специалист по организационному и документационному обеспечению управления организацией Специалист по управлению персоналом и оформлению трудовых отношений Обучение проходит дистанционно на сайте проекта "Инфоурок".
Если Вы заметили, что на данном сайте незаконно используются материалы, сообщите об этом презентации на тему транзисторы сайта через форму обратной связи.
За время tнр в базе транзистора накапливаются неосновные носители, а в процессе рассасывания за время tрас происходит уменьшение неосновных носителей по презентации на тему транзисторы базы W в соответствии с диаграммами, представленными на рис. Слайд 10 Частотные характеристики Входные а и выходные б статические характеристики биполярного Транзистора, включенного по схеме с общей базой.
Профессиональной переподготовки 30 курсов от руб. В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Частота на которой модуль коэффициента передачи, a уменьшается в корень из двух раз по сравнению с его значением на низкой частоте, называется граничной частотой fгр.
В момент времени tрас избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р-n перехода достигает нуля.
Презентация на тему «Полевые транзисторы» - Скачать бесплатно -
Маркировка полевых транзисторов Маркировка дискретных полевых транзисторов, применяемая с года, предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. Главная Школьные презентации 10 класс. Тест по физике 10 класс "динамика". Автоматическая выдача свидетельства о публикации в официальном СМИ сразу после добавления материала на сайт - Бесплатно. С этого момента ток коллектора и ток эмиттера будут уменьшаться. Электроны устремившиеся в базу создают вблизи эмиттерного перехода объемный отрицательный заряд.
Процессы в биполярном транзисторе Выполнил: Когда напряжение затвора превысит некоторое отпирающее пороговое значение, то в приповерхностном слое концентрация электронов настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, и в этом слое произойдёт так называемая инверсия типа электропроводности, то есть образуется тонкий канал n-типа и транзистор начинает проводить ток.
Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления. Чтобы скачать презентацию, подтвердите, что вы не робот.
2364 :: 2365 :: 2366 :: 2367 :: 2368 :: 2369